我司举办“燕园名师进williamhill中文app”系列讲座暨康晋锋教授学术报告会

12月20日下午，我司在新校区C2-201室举行康晋锋教授学术报告会，这是“燕园名师进williamhill中文app”系列活动第十一场学术报告会。北京大学康晋锋教授应邀来我司作学术报告，电子信息工程部门师生代表参加了报告会。

报告会前，康晋锋教授参观了我司图书馆、微电子实验室。

报告会上，康晋锋教授以《新型阻变（忆阻）器件与应用》为题，结合自己在新型氧化物阻变存储器（RRAM）物理机制，在新型纳米尺度电荷陷阱存储器（CTM）器件与模型模拟技术，在高K/金属栅器件结构与集成技术与CMOS器件可靠性机制与模型等方面取得系列研究成果，介绍了国内外新型阻变器件的发展前景与应用研究的进展情况。随后，康晋锋教授与电子信息工程部门闫小兵副教授就新型存储器技术，模型模拟、器件优化设计方法学、高密度3D集成技术、神经元计算等方面进行了探讨，使参会师生受益匪浅。在互动环节，康晋锋教授与在场师生进行了深入交流，并回答了师生们提出的问题。

（京津冀协同发展办公室、电子信息工程部门供稿）